Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BTS247Z E3062A
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BTS247Z E3062A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
Подробное описание:
N-Channel 55 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-TO263-5-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12838228
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BTS247Z E3062A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
TEMPFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1730 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Temperature Sensing Diode
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-5-2
Упаковка / Чехол
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BTS247Z E3062A
HTML Спецификация
BTS247Z E3062A-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BTS247ZE3062AT
BTS247Z E3062A-DG
BTS247ZE3062A
SP000012187
BTS247ZE3062AT-DG
BTS247ZE3062ANT
SP000399010
BTS247ZE3062AATMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
HUFA75344S3
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
FCA47N60F_SN00171
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN