BTS247Z E3062A
Производитель Номер продукта:

BTS247Z E3062A

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BTS247Z E3062A-DG

Описание:

MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
Подробное описание:
N-Channel 55 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-TO263-5-2

Инвентаризация:

12838228
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BTS247Z E3062A Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
TEMPFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1730 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Temperature Sensing Diode
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-5-2
Упаковка / Чехол
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BTS247ZE3062AT
BTS247Z E3062A-DG
BTS247ZE3062A
SP000012187
BTS247ZE3062AT-DG
BTS247ZE3062ANT
SP000399010
BTS247ZE3062AATMA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDS8884

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

onsemi

FDB035N10A

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

onsemi

HUFA75344S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

onsemi

FCA47N60F_SN00171

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN